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在这两种情况下，座标志性字技每个原子都以四面体排列键合到另外四个原子上。该模拟揭示了非晶态Si在不断增加的外部压力下的三步转变过程：城的景首先，发现了多晶态低密度和高密度非晶态区共存，而不是依次出现。

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在纳秒（ns）时间尺度上迅速结晶，市通术把形成Si金属相纳米畴。

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这样一来，座标志性字技对这类原子级位点的电子结构进行精确调控对于实现可控的反应路径就显得格外重要。研究表示，城的景三价的钕离子能够取代材料中二价锶离子位点，从而扮演NIR发射的发光中心。

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